K3LK8K80CM-MFCP vs K3LK4K40CM-BGCP Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K3LK8K80CM-MFCP tarafından Samsung Electronics ve K3LK4K40CM-BGCP tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K3LK8K80CM-MFCP K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP ✓ Aktif
Samsung Electronics
K3LK4K40CM-BGCP K3LK4K40CM-BGCP - LPDDR5 96Gb 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK4K40CM-BGCP - LPDDR5 96Gb 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK4K40CM-BGCP ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K3LK8K80CM-MFCP K3LK4K40CM-BGCP
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs DRAM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü LPDDR5 SDRAM LPDDR5 SDRAM
Density 48 Gbit (6 GB) 96 Gb (12 GB)
Organizasyon [DATA_NEEDED: organization (x width)] 1536M x 64
Pin Speed 6400 Mbps —
Data Rate (package) 51.2 GB/s (family max) —
Arayüz LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface) LPDDR5 (JEDEC)
Paket 315-ball FBGA (MFCP) 496-ball FBGA
Ball Count 315 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -40 C to +105 C (automotive-grade) [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Besleme Gerilimi [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] —
Power Saving vs LPDDR4X Approximately 20% —
Generation LPDDR5 (5th generation low-power DRAM) —
Application Grade Automotive-grade storage chip —
Place of Origin Johor, Malaysia —
RoHS Durumu unknown [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Veri Hızı — 6400 Mbps per pin
Supply Voltage (VDD) — 1.05 V
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh Scheme — Per-bank / all-bank refresh
Power-Down Modes — Deep sleep / power-down supported
Application Segment — Mobile, embedded, computing modules
Packaging — [DATA_NEEDED: standard packing quantity]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin