K4A4G045WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G045WD-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A4G085WD-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G045WD-BCRC | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 1G x4 | 512M x 8 |
| Die Generation | D-die | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Speed Grade / Data Rate | BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide) | — |
| العلبة | TFBGA-78 (FBGA-78) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Number of Terminals | 78 | 78 |
| Self Refresh | Yes | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Bank Architecture | DDR4 8 internal banks with bank groups | — |
| Refresh | Self refresh supported (per Partstack listing) | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Lead Free Status | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| Packaging Option | [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| معدل البيانات | — | 2400 Mb/s (PC2400) |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| الواجهة | — | Parallel |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |