K4A4G045WD-BCRC vs K4A4G085WD-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A4G045WD-BCRC bằng Samsung Electronics và K4A4G085WD-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A4G045WD-BCRC K4A4G045WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM x4, 1.2V | Samsung

K4A4G045WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM x4, 1.2V | Samsung

K4A4G045WD-BCRC ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A4G045WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục DRAM Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (D-die)
Density 4 Gb —
Tổ chức 1G x4 512M x 8
Die Generation D-die —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Speed Grade / Data Rate BCRC (2400 Mbps per Samsung product selection guide) —
Hộp TFBGA-78 (FBGA-78) FBGA-78 (TFBGA)
Number of Terminals 78 78
Self Refresh Yes —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: CK frequency for BCRC bin] —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CL for BCRC bin] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Bank Architecture DDR4 8 internal banks with bank groups —
Refresh Self refresh supported (per Partstack listing) [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Lead Free Status [DATA_NEEDED: lead-free status] —
Packaging Option [DATA_NEEDED: tape and reel quantity] —
Memory Density — 4 Gbit
Tốc độ dữ liệu — 2400 Mb/s (PC2400)
Điện áp cung cấp — 1.2 V
Giao diện — Parallel
Access Mode — Multi-bank page burst
Khoảng nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá