K4A4G085WD vs K4A4G085WG-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G085WD بواسطة Samsung Electronics و K4A4G085WG-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G085WD | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $2.05 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 8 | — |
| معدل البيانات | Up to 2400 Mbps (speed-grade dependent) | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| العلبة | 78-ball FBGA | FBGA-78 (BCW) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade (example) | -BCPB (DDR4-2400), -BCRC | — |
| نوع الواجهة | DDR4 (double data rate, source-synchronous) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4 bank groups) | — |
| ODT | On-Die Termination (built-in) | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS Latency (typical) | [DATA_NEEDED: CL per speed grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh interval] | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| الواجهة | — | Parallel (DDR4) |
| Burst Length | — | BL8 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| Packaging | — | Tray |