K4A4G085WD vs K4A4G085WG-BCWE Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A4G085WD tarafından Samsung Electronics ve K4A4G085WG-BCWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A4G085WD K4A4G085WD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 BGA | Samsung

K4A4G085WD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 BGA | Samsung

K4A4G085WD ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A4G085WD K4A4G085WG-BCWE
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $2,05 —
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile)
Die Generation D-die —
Density 4 Gb —
Organizasyon 512M x 8 —
Veri Hızı Up to 2400 Mbps (speed-grade dependent) 3200 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Paket 78-ball FBGA FBGA-78 (BCW)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Speed Grade (example) -BCPB (DDR4-2400), -BCRC —
Arayüz Türü DDR4 (double data rate, source-synchronous) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
ODT On-Die Termination (built-in) —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS Latency (typical) [DATA_NEEDED: CL per speed grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh interval] [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free status] —
Bellek Boyutu — 4 Gb
Memory Organization — 512M x 8
Speed Class — DDR4-3200
Technology — D-die DDR4
Arayüz — Parallel (DDR4)
Burst Length — BL8
DLL Mode — DLL Enabled (per datasheet timing)
Packaging — Tray

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin