K4A4G085WD vs K4A4G085WG-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G085WD द्वारा Samsung Electronics और K4A4G085WG-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G085WD | K4A4G085WG-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $2.05 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile) |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | — |
| संगठन | 512M x 8 | — |
| डेटा दर | Up to 2400 Mbps (speed-grade dependent) | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| पैकेज | 78-ball FBGA | FBGA-78 (BCW) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade (example) | -BCPB (DDR4-2400), -BCRC | — |
| इंटरफ़ेस प्रकार | DDR4 (double data rate, source-synchronous) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4 bank groups) | — |
| ODT | On-Die Termination (built-in) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS Latency (typical) | [DATA_NEEDED: CL per speed grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh interval] | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| Speed Class | — | DDR4-3200 |
| Technology | — | D-die DDR4 |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel (DDR4) |
| Burst Length | — | BL8 |
| DLL Mode | — | DLL Enabled (per datasheet timing) |
| Packaging | — | Tray |