K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WD-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G165WF-BCWE بواسطة Samsung Electronics و K4A4G165WD-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G165WF-BCWE | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $10.65 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| جهد التغذية | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel | — |
| Die Generation | Samsung F-die | — |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| حالة RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Lead free / RoHS Compliant |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| نوع الواجهة | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |