K4A4G165WF-BCWE vs K4A4G165WD-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G165WF-BCWE द्वारा Samsung Electronics और K4A4G165WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G165WF-BCWE | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $10.65 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 3200 Mbps | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Access Time | 19 ns | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| पैकेज | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Die Generation | Samsung F-die | — |
| Data Mask | Supported (DM) | — |
| ZQ Calibration | Supported | Yes |
| On-Die Termination | Dynamic ODT supported | — |
| CRC | Supported | — |
| Auto Precharge | Supported | Yes |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per JLCPCB listing) | Lead free / RoHS Compliant |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |