K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BIWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BICH بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB-BIWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| التنظيم | 1G x 8 | — |
| جهد التغذية | 1.2V | 1.2 V |
| معدل البيانات | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 85°C | 0°C to +85°C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| زمن الوصول CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CL value] |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Die Revision | B-die | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |