K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BIWE Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4A8G085WB-BICH disebabkan oleh Samsung Electronics dan K4A8G085WB-BIWE disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Jenis Ingatan | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| Organisasi | 1G x 8 | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.2V | 1.2 V |
| Kadar Data | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| Kemasan | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| Suhu Operasi | 0°C to 85°C | 0°C to +85°C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| Latensi CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CL value] |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Die Revision | B-die | — |
| Saiz Ingatan | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Jenis Pemasangan | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Boson Bebas | — | Yes |