K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BIWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BICH توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BIWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| سازمان | 1G x 8 | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2V | 1.2 V |
| نرخ داده | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| دمای کاری | 0°C to 85°C | 0°C to +85°C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| تأخیر CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CL value] |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Die Revision | B-die | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| بدون هالوژن | — | Yes |