K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BIWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WB-BICH מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WB-BIWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| ארגון | 1G x 8 | — |
| מתח אספקה | 1.2V | 1.2 V |
| קצב נתונים | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| מארז | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 85°C | 0°C to +85°C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| השהיית CAS | Programmable | [DATA_NEEDED: CL value] |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Die Revision | B-die | — |
| גודל זיכרון | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| נטול הלוגנים | — | Yes |