K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BIWE Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BICH tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BIWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| Organizasyon | 1G x 8 | — |
| Besleme Gerilimi | 1.2V | 1.2 V |
| Veri Hızı | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 3200 Mbps |
| Paket | 78-ball FBGA | 78-FBGA |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 85°C | 0°C to +85°C |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| CAS Gecikme | Programmable | [DATA_NEEDED: CL value] |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Die Revision | B-die | — |
| Bellek Boyutu | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Klorürsüz | — | Yes |