K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WC-BCPB بواسطة Samsung Electronics و K4A8G165WB-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WC-BCPB | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $6.25 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | 8 Gb |
| Memory Organization | 512M x 16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) | 3200 Mbps/pin |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| الواجهة | DDR4 (16-bit data bus) | Parallel |
| العلبة | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96FBGA |
| Die Generation | C-die (1Y nm class) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | 0C to +85C |
| الميزات | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Termination | On-die termination (ODT), dynamic | On-die termination (ODT) |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| Standard | JEDEC DDR4 SDRAM | — |
| Access Time | — | 19 ns |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |