K4A8G165WC-BCPB vs K4A8G165WB-BCWE So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G165WC-BCPB bằng Samsung Electronics và K4A8G165WB-BCWE bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WB-BCWE
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho — In Stock
Giá đơn vị (USD) — $6,25
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gb 8 Gb
Memory Organization 512M x 16 512M x 16
Tốc độ dữ liệu DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) 3200 Mbps/pin
Điện áp cung cấp 1.2 V 1.2 V
Operating Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Giao diện DDR4 (16-bit data bus) Parallel
Hộp 96-ball FBGA (TFBGA) 96FBGA
Die Generation C-die (1Y nm class) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động 0C to +95C 0C to +85C
Tính năng Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask —
Termination On-die termination (ODT), dynamic On-die termination (ODT)
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Trạng thái RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
Standard JEDEC DDR4 SDRAM —
Access Time — 19 ns
Memory Format — DRAM (volatile)
Technology — DDR4 SDRAM B-die
Prefetch — 8n
Refresh — Self-refresh supported

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá