K4B4G1646D-BCK00 vs MT41K256M16HA-125:E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BCK00 بواسطة Samsung Electronics و MT41K256M16HA-125:E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BCK00 | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| معدل البيانات | 1600 Mbps/pin | — |
| جهد التغذية | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| زمن الوصول CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 13.75 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C (TC) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |