K4B4G1646D-BCK00 vs MT41K256M16HA-125:E Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BCK00 tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16HA-125:E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ AktifMicron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BCK00 | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Veri Hızı | 1600 Mbps/pin | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Paket | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Gecikme | 11 (at 1600 Mbps) | 13.75 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | 0°C to +95°C (TC) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Veri Bus Genişliği | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |