K4B4G1646D-BCK00 vs MT41K256M16HA-125:E Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4B4G1646D-BCK00 disebabkan oleh Samsung Electronics dan MT41K256M16HA-125:E disebabkan oleh Micron Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ AktifMicron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ AktifPengandingan Spesifikasi
| Parametr | K4B4G1646D-BCK00 | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Kadar Data | 1600 Mbps/pin | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Kemasan | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Suhu Operasi | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latensi CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 13.75 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Boson Bebas | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Bilangan Pin | — | 96 |
| Jenis Pemasangan | — | Surface Mount |
| Gambaran Suhu Operasi | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Lebar Bus Data | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |