K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-107:E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BFMA بواسطة Samsung Electronics و MT41K256M16HA-107:E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BFMA | MT41K256M16HA-107:E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| معدل البيانات | 1866 Mbps | 1866 MT/s |
| جهد التغذية | 1.5V | 1.35V |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | — |
| زمن الوصول CAS | Programmable | 13 (typical) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Temperature Range | 0°C to 95°C (case) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| حجم الذاكرة | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| الواجهة | — | Parallel |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| عدد الدبابيس | — | 96 |