K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-107:E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BFMA tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16HA-107:E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4B4G1646D-BFMA MT41K256M16HA-107:E
Marka Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR3 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Veri Hızı 1866 Mbps 1866 MT/s
Besleme Gerilimi 1.5V 1.35V
Paket 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) —
CAS Gecikme Programmable 13 (typical)
On-Die Termination Yes —
Temperature Range 0°C to 95°C (case) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes —
Bellek Boyutu — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Montaj Türü — Surface Mount
İşletim Sıcaklığı — 0°C to 95°C (Tc)
Arayüz — Parallel
RoHS Durumu — Compliant
Pin Sayısı — 96

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin