K4B4G1646D-BFMA vs MT41K256M16HA-107:E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BFMA بذریعہ Samsung Electronics اور MT41K256M16HA-107:E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BFMA K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA - 4Gb DDR3 SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BFMA ✓ فعال
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107:E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646D-BFMA MT41K256M16HA-107:E
برانڈ Samsung Electronics Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR3 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
تنظیم 256M x 16 256M x 16
ڈیٹا ریٹ 1866 Mbps 1866 MT/s
سپلائی وولٹیج 1.5V 1.35V
پیکیج 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) —
CAS لیٹنسی Programmable 13 (typical)
On-Die Termination Yes —
Temperature Range 0°C to 95°C (case) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
ہیلوجن فری Yes —
میموری سائز — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
Access Time — 20 ns
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0°C to 95°C (Tc)
انٹرفیس — Parallel
RoHS اسٹیٹس — Compliant
پنز کی تعداد — 96

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں