K4RAH086VE-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH086VE-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RBH086VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM ✓ نشط
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K4RAH086VE-BCWM K4RBH086VB-BCQK
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون In Stock —
سعر الوحدة (USD) $7.60 —
نوع الذاكرة DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
التنظيم 2G x 8 2G x 8
معدل البيانات 5600 Mbps 4800 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
العلبة 82-ball FBGA FBGA-82
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Generation DDR5 —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] —
VDDQ Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ value] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
حالة دورة الحياة Mass Production —
Manufacturer Samsung Electronics —
الواجهة — DDR5 (CA bus, ODECC)
On-die ECC — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Packaging — [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر