K4RAH086VE-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4RAH086VE-BCWM מאת Samsung Electronics ו K4RBH086VB-BCQK מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4RAH086VE-BCWM K4RBH086VB-BCQK
מותג Samsung Electronics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי In Stock —
מחיר ליחידה (USD) $7.60 —
סוג זיכרון DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
ארגון 2G x 8 2G x 8
קצב נתונים 5600 Mbps 4800 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
מארז 82-ball FBGA FBGA-82
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Generation DDR5 —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
השהיית CAS [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] —
VDDQ Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ value] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
סטטוס מחזור חיים Mass Production —
Manufacturer Samsung Electronics —
ממשק — DDR5 (CA bus, ODECC)
On-die ECC — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
רמת MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Packaging — [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר