K4RAH086VE-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4RAH086VE-BCWM tarafından Samsung Electronics ve K4RBH086VB-BCQK tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4RAH086VE-BCWM K4RBH086VB-BCQK
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $7,60 —
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
Organizasyon 2G x 8 2G x 8
Veri Hızı 5600 Mbps 4800 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
Paket 82-ball FBGA FBGA-82
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Generation DDR5 —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] —
VDDQ Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ value] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Yaşam Döngüsü Durumu Mass Production —
Manufacturer Samsung Electronics —
Arayüz — DDR5 (CA bus, ODECC)
On-die ECC — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Packaging — [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin