K4RCH046VM-2CCM vs K4RHE165VB-BCWM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RCH046VM-2CCM بواسطة Samsung Electronics و K4RHE165VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RCH046VM-2CCM | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | NRND | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 32 Gb | 24 Gb |
| التنظيم | 4G x 4 | 1G x 16 |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| جهد التغذية | 1.1 V | 1.1 V |
| درجة حرارة التشغيل | 0 to 85 C | 0 C to +85 C |
| العلبة | 78-ball FBGA | 106 FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Product Status | Sample | Mass Production |
| Access Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| نوع الواجهة | [DATA_NEEDED: interface type] | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| الواجهة | — | Parallel, DDR5 |
| Generation | — | DDR5 |
| Application Segment | — | DDR5 memory modules and HPC systems |
| Speed Grade Suffix | — | BCWM |
| tCK (Clock Period) | — | [DATA_NEEDED: clock period] |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |