K4RCH046VM-2CCM vs K4RHE165VB-BCWM موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4RCH046VM-2CCM بذریعہ Samsung Electronics اور K4RHE165VB-BCWM بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4RCH046VM-2CCM K4RCH046VM-2CCM - DDR5 32Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RCH046VM-2CCM - DDR5 32Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RCH046VM-2CCM Nrnd
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4RCH046VM-2CCM K4RHE165VB-BCWM
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت NRND فعال
میموری ٹائپ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 32 Gb 24 Gb
تنظیم 4G x 4 1G x 16
ڈیٹا ریٹ 5600 Mbps 5600 Mbps
سپلائی وولٹیج 1.1 V 1.1 V
آپریٹنگ درجہ حرارت 0 to 85 C 0 C to +85 C
پیکیج 78-ball FBGA 106 FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Product Status Sample Mass Production
Access Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
انٹرفیس ٹائپ [DATA_NEEDED: interface type] —
MSL لیول [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
On-Die ECC [DATA_NEEDED: on-die ECC support] —
انٹرفیس — Parallel, DDR5
Generation — DDR5
Application Segment — DDR5 memory modules and HPC systems
Speed Grade Suffix — BCWM
tCK (Clock Period) — [DATA_NEEDED: clock period]
CAS لیٹنسی — [DATA_NEEDED: CAS latency]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں