K4RCH046VM-2CCM vs K4RHE165VB-BCWM So sánh
So sánh chi tiết song song của K4RCH046VM-2CCM bằng Samsung Electronics và K4RHE165VB-BCWM bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4RCH046VM-2CCM | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | NRND | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 32 Gb | 24 Gb |
| Tổ chức | 4G x 4 | 1G x 16 |
| Tốc độ dữ liệu | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Điện áp cung cấp | 1.1 V | 1.1 V |
| Nhiệt độ hoạt động | 0 to 85 C | 0 C to +85 C |
| Hộp | 78-ball FBGA | 106 FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Product Status | Sample | Mass Production |
| Access Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Loại giao diện | [DATA_NEEDED: interface type] | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| Giao diện | — | Parallel, DDR5 |
| Generation | — | DDR5 |
| Application Segment | — | DDR5 memory modules and HPC systems |
| Speed Grade Suffix | — | BCWM |
| tCK (Clock Period) | — | [DATA_NEEDED: clock period] |
| Latency CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |