K4RCH046VM-2CCM vs K4RHE165VB-BCWM مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4RCH046VM-2CCM توسط Samsung Electronics و K4RHE165VB-BCWM توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4RCH046VM-2CCM | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | NRND | فعال |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 32 Gb | 24 Gb |
| سازمان | 4G x 4 | 1G x 16 |
| نرخ داده | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.1 V | 1.1 V |
| دمای کاری | 0 to 85 C | 0 C to +85 C |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | 106 FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Product Status | Sample | Mass Production |
| Access Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| نوع رابط | [DATA_NEEDED: interface type] | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| رابط | — | Parallel, DDR5 |
| Generation | — | DDR5 |
| Application Segment | — | DDR5 memory modules and HPC systems |
| Speed Grade Suffix | — | BCWM |
| tCK (Clock Period) | — | [DATA_NEEDED: clock period] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |