K9DVGB8U5M vs K9PDG08U5M مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K9DVGB8U5M بواسطة Samsung Electronics و K9PDG08U5M بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K9DVGB8U5M K9DVGB8U5M - Samsung NAND Flash Memory Chip | Samsung

K9DVGB8U5M - Samsung NAND Flash Memory Chip | Samsung

K9DVGB8U5M ✓ نشط
Samsung Electronics
K9PDG08U5M K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M ✗ انتهى عمره الإنتاجي

مقارنة المواصفات

المعامل K9DVGB8U5M K9PDG08U5M
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs EEPROM
حالة دورة الحياة نشط نهاية العمر الإنتاجي
نوع الذاكرة NAND Flash NAND Flash (SLC)
التنظيم [DATA_NEEDED: capacity organization] x8 (multiplexed I/O)
الواجهة Asynchronous x8-bit I/O —
جهد التغذية [DATA_NEEDED: VCC range] [DATA_NEEDED: supply voltage range]
العلبة [DATA_NEEDED: package type and dimensions] TSOP1-48
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Page Size [DATA_NEEDED: main page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: erase block size] [DATA_NEEDED: block size]
Read Time (tR) [DATA_NEEDED: page read cycle time] —
Program Time (tPROG) [DATA_NEEDED: page program time] —
Erase Time (tBERS) [DATA_NEEDED: block erase time] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention [DATA_NEEDED: retention specification] —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Interface Signals CLE, ALE, WE, RE, CE, R/B, WP —
Bad Block Management Host-managed (controller ECC and bad-block table required) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density — 4 Gbit
Page Read Time — [DATA_NEEDED: page read time]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: block erase time]
Access Interface — Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control
Ready/Busy Output — Yes (R/B, open-drain)
Write Protect Pin — Yes (/WP)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر