LM358DT vs NCV2904DR2G مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ LM358DT بواسطة STMicroelectronics و NCV2904DR2G بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل LM358DT NCV2904DR2G
العلامة التجارية STMicroelectronics onsemi
الفئة Amplifier ICs Amplifier ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) $0.05 —
Number of Channels 2 —
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Split) ±1.5 V to ±16 V —
Quiescent Current (per Amp) 350 µA (typical) —
Input Offset Voltage 2 mV (typical) —
Input Bias Current 45 nA (typical) Low input bias current
Gain-Bandwidth Product 1.1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs —
Common-Mode Rejection Ratio 85 dB (typical) —
Power Supply Rejection Ratio 100 dB (typical) —
Output Current 40 mA (source/sink) —
نطاق درجة حرارة التشغيل 0°C to +70°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة SOIC-8 (SO-8) SOIC-8 (Case 751, D suffix)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Amplifier Type — General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits — 2
Supply Voltage (Single Supply) — 3.0 V to 26 V
Supply Voltage (Split Supply) — +/-1.5 V to +/-13 V
Common Mode Input Range — Extends to ground/VEE
Output — Short circuit protected
Input Stage — True differential input
Compensation — Internally compensated
ESD Protection — ESD clamps on inputs
Power Drain — Low power drain
Qualification — NCV automotive grade

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر