LM358DT vs NCV2904DR2G Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma LM358DT tarafından STMicroelectronics ve NCV2904DR2G tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre LM358DT NCV2904DR2G
Marka STMicroelectronics onsemi
Kategori Amplifier ICs Amplifier ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) $0,05 —
Number of Channels 2 —
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Split) ±1.5 V to ±16 V —
Quiescent Current (per Amp) 350 µA (typical) —
Input Offset Voltage 2 mV (typical) —
Input Bias Current 45 nA (typical) Low input bias current
Gain-Bandwidth Product 1.1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs —
Common-Mode Rejection Ratio 85 dB (typical) —
Power Supply Rejection Ratio 100 dB (typical) —
Output Current 40 mA (source/sink) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı 0°C to +70°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket SOIC-8 (SO-8) SOIC-8 (Case 751, D suffix)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Amplifier Type — General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits — 2
Supply Voltage (Single Supply) — 3.0 V to 26 V
Supply Voltage (Split Supply) — +/-1.5 V to +/-13 V
Common Mode Input Range — Extends to ground/VEE
Output — Short circuit protected
Input Stage — True differential input
Compensation — Internally compensated
ESD Protection — ESD clamps on inputs
Power Drain — Low power drain
Qualification — NCV automotive grade

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin