LMG3522R030RQSR vs LMG3422R030RQZT مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ LMG3522R030RQSR بواسطة Texas Instruments و LMG3422R030RQZT بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Texas Instruments
LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3522R030RQSR ✓ نشطTexas Instruments
LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3422R030RQZT ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | LMG3522R030RQSR | LMG3422R030RQZT |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Texas Instruments | Texas Instruments |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 600 V |
| RDS(on) (Typical) | 30 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 55 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: Pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: Gate-source voltage range] | — |
| Integrated Driver | Yes (half-bridge) | Yes |
| Protection Features | Overcurrent, overtemperature, temperature reporting | — |
| العلبة | 52-VQFN (12x12 mm) Exposed Pad | 54-VQFN (12x12 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Automotive Grade | Available (Q1 variant, AEC-Q100) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| المقاومة الحرارية، من الوصلة إلى المحيط | [DATA_NEEDED: Thermal resistance] | — |
| تردد التبديل | [DATA_NEEDED: Maximum switching frequency] | 2.2 MHz |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 30 mΩ |
| Continuous Drain Current | — | 40 A |
| Slew Rate | — | 20 V/ns to 150 V/ns |
| FET Hold-off | — | 200 V/ns |
| Protection | — | Overcurrent, Overtemperature |
| Temperature Reporting | — | Yes |
| Qualification | — | JEDEC JEP180 |
| Gate Drive Strength | — | Adjustable |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +125°C |