LMG3522R030RQSR vs LMG3422R030RQZT Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma LMG3522R030RQSR tarafından Texas Instruments ve LMG3422R030RQZT tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Texas Instruments
LMG3522R030RQSR LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3522R030RQSR ✓ Aktif
Texas Instruments
LMG3422R030RQZT LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3422R030RQZT ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre LMG3522R030RQSR LMG3422R030RQZT
Marka Texas Instruments Texas Instruments
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
RDS(on) (Typical) 30 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) 55 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: Pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: Gate-source voltage range] —
Integrated Driver Yes (half-bridge) Yes
Protection Features Overcurrent, overtemperature, temperature reporting —
Paket 52-VQFN (12x12 mm) Exposed Pad 54-VQFN (12x12 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
Automotive Grade Available (Q1 variant, AEC-Q100) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
Jantten Ortama Termal Direnç [DATA_NEEDED: Thermal resistance] —
Değiştirme Frekansı [DATA_NEEDED: Maximum switching frequency] 2.2 MHz
On-Resistance (RDS(on)) — 30 mΩ
Continuous Drain Current — 40 A
Slew Rate — 20 V/ns to 150 V/ns
FET Hold-off — 200 V/ns
Protection — Overcurrent, Overtemperature
Temperature Reporting — Yes
Qualification — JEDEC JEP180
Gate Drive Strength — Adjustable
İşletim Sıcaklığı — -40°C to +125°C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin