LMG3522R030RQSR vs LMG3422R030RQZT موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از LMG3522R030RQSR بذریعہ Texas Instruments اور LMG3422R030RQZT بذریعہ Texas Instruments. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Texas Instruments
LMG3522R030RQSR LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3522R030RQSR ✓ فعال
Texas Instruments
LMG3422R030RQZT LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3422R030RQZT ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر LMG3522R030RQSR LMG3422R030RQZT
برانڈ Texas Instruments Texas Instruments
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
RDS(on) (Typical) 30 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) 55 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: Pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: Gate-source voltage range] —
Integrated Driver Yes (half-bridge) Yes
Protection Features Overcurrent, overtemperature, temperature reporting —
پیکیج 52-VQFN (12x12 mm) Exposed Pad 54-VQFN (12x12 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
Automotive Grade Available (Q1 variant, AEC-Q100) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] —
تھرمل ریزسٹنس، جنکشن سے ایمبیئنٹ [DATA_NEEDED: Thermal resistance] —
سوئچنگ فریکوئنسی [DATA_NEEDED: Maximum switching frequency] 2.2 MHz
On-Resistance (RDS(on)) — 30 mΩ
Continuous Drain Current — 40 A
Slew Rate — 20 V/ns to 150 V/ns
FET Hold-off — 200 V/ns
Protection — Overcurrent, Overtemperature
Temperature Reporting — Yes
Qualification — JEDEC JEP180
Gate Drive Strength — Adjustable
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40°C to +125°C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں