LMG3522R030RQSR vs LMG3422R030RQZT השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של LMG3522R030RQSR מאת Texas Instruments ו LMG3422R030RQZT מאת Texas Instruments. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Texas Instruments
LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3522R030RQSR ✓ פעילTexas Instruments
LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3422R030RQZT ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | LMG3522R030RQSR | LMG3422R030RQZT |
|---|---|---|
| מותג | Texas Instruments | Texas Instruments |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 600 V |
| RDS(on) (Typical) | 30 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 55 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: Pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: Gate-source voltage range] | — |
| Integrated Driver | Yes (half-bridge) | Yes |
| Protection Features | Overcurrent, overtemperature, temperature reporting | — |
| מארז | 52-VQFN (12x12 mm) Exposed Pad | 54-VQFN (12x12 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Automotive Grade | Available (Q1 variant, AEC-Q100) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| התנגדות תרמית, צומת לסביבה | [DATA_NEEDED: Thermal resistance] | — |
| תדר מיתוג | [DATA_NEEDED: Maximum switching frequency] | 2.2 MHz |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 30 mΩ |
| Continuous Drain Current | — | 40 A |
| Slew Rate | — | 20 V/ns to 150 V/ns |
| FET Hold-off | — | 200 V/ns |
| Protection | — | Overcurrent, Overtemperature |
| Temperature Reporting | — | Yes |
| Qualification | — | JEDEC JEP180 |
| Gate Drive Strength | — | Adjustable |
| טמפרטורת פעולה | — | -40°C to +125°C |