LMG3522R030RQSR vs LMG3422R030RQZT तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना LMG3522R030RQSR द्वारा Texas Instruments और LMG3422R030RQZT द्वारा Texas Instruments. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Texas Instruments
LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3522R030RQSR ✓ सक्रियTexas Instruments
LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI
LMG3422R030RQZT ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | LMG3522R030RQSR | LMG3422R030RQZT |
|---|---|---|
| ब्रांड | Texas Instruments | Texas Instruments |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 600 V |
| RDS(on) (Typical) | 30 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 55 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: Pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: Gate-source voltage range] | — |
| Integrated Driver | Yes (half-bridge) | Yes |
| Protection Features | Overcurrent, overtemperature, temperature reporting | — |
| पैकेज | 52-VQFN (12x12 mm) Exposed Pad | 54-VQFN (12x12 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | — |
| Automotive Grade | Available (Q1 variant, AEC-Q100) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| थर्मल रेज़िस्टेंस, जंक्शन-टू-एम्बिएंट | [DATA_NEEDED: Thermal resistance] | — |
| स्विचिंग फ्रीक्वेंसी | [DATA_NEEDED: Maximum switching frequency] | 2.2 MHz |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 30 mΩ |
| Continuous Drain Current | — | 40 A |
| Slew Rate | — | 20 V/ns to 150 V/ns |
| FET Hold-off | — | 200 V/ns |
| Protection | — | Overcurrent, Overtemperature |
| Temperature Reporting | — | Yes |
| Qualification | — | JEDEC JEP180 |
| Gate Drive Strength | — | Adjustable |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40°C to +125°C |