LMG3522R030RQSR vs LMG3422R030RQZT তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা LMG3522R030RQSR নির্দিষ্ট Texas Instruments ও LMG3422R030RQZT নির্দিষ্ট Texas Instruments. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Texas Instruments
LMG3522R030RQSR LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3522R030RQSR - 650V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3522R030RQSR ✓ সক্রিয়
Texas Instruments
LMG3422R030RQZT LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3422R030RQZT - 600V 30mΩ GaN FET with Integrated Driver | TI

LMG3422R030RQZT ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার LMG3522R030RQSR LMG3422R030RQZT
ব্র্যান্ড Texas Instruments Texas Instruments
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
RDS(on) (Typical) 30 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) 55 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: Pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: Gate-source voltage range] —
Integrated Driver Yes (half-bridge) Yes
Protection Features Overcurrent, overtemperature, temperature reporting —
প্যাকেজ 52-VQFN (12x12 mm) Exposed Pad 54-VQFN (12x12 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: Operating temperature range] —
Automotive Grade Available (Q1 variant, AEC-Q100) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL level] —
থার্মাল রেজিস্ট্যান্স, জাংশন-টু-অ্যাম্বিয়েন্ট [DATA_NEEDED: Thermal resistance] —
সুইচিং ফ্রিকোয়েন্সি [DATA_NEEDED: Maximum switching frequency] 2.2 MHz
On-Resistance (RDS(on)) — 30 mΩ
Continuous Drain Current — 40 A
Slew Rate — 20 V/ns to 150 V/ns
FET Hold-off — 200 V/ns
Protection — Overcurrent, Overtemperature
Temperature Reporting — Yes
Qualification — JEDEC JEP180
Gate Drive Strength — Adjustable
অপারেটিং তাপমাত্রা — -40°C to +125°C

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট