M29W128GL70ZA3E vs M29W128GH70ZA3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W128GL70ZA3E بواسطة Micron Technology و M29W128GH70ZA3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29W128GL70ZA3E | M29W128GH70ZA3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 128 Mbit | — |
| التنظيم | 16M x 8 / 8M x 16 | 8M x 16 |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| جهد التغذية | 3V / 3.3V | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | 64-TBGA (10x13 mm) | 64-TBGA (10x13 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Location | Bottom boot (GL variant) | — |
| Bus Width Selection | BYTE pin (x8/x16) | — |
| Packaging | Tray | — |
| حالة RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Product Longevity Program | No | — |
| FBGA Code | [DATA_NEEDED: FBGA Code] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] | — |
| حجم الذاكرة | — | 128 Mbit |
| Technology | — | SLC NOR |
| Boot Block Architecture | — | Bottom boot (GH suffix) |
| Program/Erase Voltage | — | [DATA_NEEDED: program/erase voltage] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| CFI Compliant | — | [DATA_NEEDED: CFI compliance] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |