M29W128GL70ZA3E vs M29W128GH70ZA3E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W128GL70ZA3E מאת Micron Technology ו M29W128GH70ZA3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron
M29W128GH70ZA3E ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | M29W128GL70ZA3E | M29W128GH70ZA3E |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 128 Mbit | — |
| ארגון | 16M x 8 / 8M x 16 | 8M x 16 |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| מתח אספקה | 3V / 3.3V | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| מארז | 64-TBGA (10x13 mm) | 64-TBGA (10x13 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Location | Bottom boot (GL variant) | — |
| Bus Width Selection | BYTE pin (x8/x16) | — |
| Packaging | Tray | — |
| סטטוס RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Product Longevity Program | No | — |
| FBGA Code | [DATA_NEEDED: FBGA Code] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] | — |
| גודל זיכרון | — | 128 Mbit |
| Technology | — | SLC NOR |
| Boot Block Architecture | — | Bottom boot (GH suffix) |
| Program/Erase Voltage | — | [DATA_NEEDED: program/erase voltage] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| CFI Compliant | — | [DATA_NEEDED: CFI compliance] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |