M29W160ET70N3E vs M29F160FB55N3F2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W160ET70N3E بواسطة Micron Technology و M29F160FB55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron
M29W160ET70N3E ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | M29W160ET70N3E | M29F160FB55N3F2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | Obsolete |
| نوع الذاكرة | NOR Flash (Parallel) | Parallel NOR Flash |
| حجم الذاكرة | 16 Mbit | — |
| التنظيم | 2M x 8 / 1M x 16 | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| جهد التغذية | 3 V / 3.3 V (nominal) | 5 V |
| Boot Block Location | Top boot | — |
| العلبة | 48-TSOP | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 to +125 C |
| Bus Width Selection | BYTE# pin, x8 or x16 | — |
| Sector Protection | Hardware boot block protection | — |
| Programming Type | Automatic program and erase | — |
| Packing | Tray (RoHS-compliant package, standard packing) | — |
| حالة RoHS | Compliant (E suffix) | Compliant (lead-free) |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Density | — | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Number of Words | — | 1000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block |
| Package Type | — | 48-TSOP |
| Termination Finish | — | Lead-free (F2 suffix) |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Block Protection | — | Hardware boot block protection |
| Speed Grade (from MPN) | — | 55 (55 ns) |