M29W160ET70N3E vs M29F160FB55N3F2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29W160ET70N3E بذریعہ Micron Technology اور M29F160FB55N3F2 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29W160ET70N3E M29F160FB55N3F2
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال Obsolete
میموری ٹائپ NOR Flash (Parallel) Parallel NOR Flash
میموری سائز 16 Mbit —
تنظیم 2M x 8 / 1M x 16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Access Time 70 ns 55 ns
انٹرفیس Parallel Parallel
سپلائی وولٹیج 3 V / 3.3 V (nominal) 5 V
Boot Block Location Top boot —
پیکیج 48-TSOP —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 to +125 C
Bus Width Selection BYTE# pin, x8 or x16 —
Sector Protection Hardware boot block protection —
Programming Type Automatic program and erase —
Packing Tray (RoHS-compliant package, standard packing) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (E suffix) Compliant (lead-free)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Density — 16777 kbits (16 Mbit)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں