M29W160ET70N3E vs M29F160FB55N3F2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W160ET70N3E द्वारा Micron Technology और M29F160FB55N3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron
M29W160ET70N3E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29W160ET70N3E | M29F160FB55N3F2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | Obsolete |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash (Parallel) | Parallel NOR Flash |
| मेमोरी आकार | 16 Mbit | — |
| संगठन | 2M x 8 / 1M x 16 | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| सप्लाई वोल्टेज | 3 V / 3.3 V (nominal) | 5 V |
| Boot Block Location | Top boot | — |
| पैकेज | 48-TSOP | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 to +125 C |
| Bus Width Selection | BYTE# pin, x8 or x16 | — |
| Sector Protection | Hardware boot block protection | — |
| Programming Type | Automatic program and erase | — |
| Packing | Tray (RoHS-compliant package, standard packing) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (E suffix) | Compliant (lead-free) |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Density | — | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Number of Words | — | 1000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block |
| Package Type | — | 48-TSOP |
| Termination Finish | — | Lead-free (F2 suffix) |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Block Protection | — | Hardware boot block protection |
| Speed Grade (from MPN) | — | 55 (55 ns) |