M29W160ET70N3E vs M29F160FB55N3F2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W160ET70N3E מאת Micron Technology ו M29F160FB55N3F2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ פעיל
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

השוואת מפרטים

פרמטר M29W160ET70N3E M29F160FB55N3F2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל Obsolete
סוג זיכרון NOR Flash (Parallel) Parallel NOR Flash
גודל זיכרון 16 Mbit —
ארגון 2M x 8 / 1M x 16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Access Time 70 ns 55 ns
ממשק Parallel Parallel
מתח אספקה 3 V / 3.3 V (nominal) 5 V
Boot Block Location Top boot —
מארז 48-TSOP —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 to +125 C
Bus Width Selection BYTE# pin, x8 or x16 —
Sector Protection Hardware boot block protection —
Programming Type Automatic program and erase —
Packing Tray (RoHS-compliant package, standard packing) —
סטטוס RoHS Compliant (E suffix) Compliant (lead-free)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Density — 16777 kbits (16 Mbit)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר