M29W256GH70N3E vs M29W128GH70N3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W256GH70N3E بواسطة Micron Technology و M29W128GH70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29W256GH70N3E | M29W128GH70N3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 256 Mbit (32 MB) | — |
| التنظيم | 32M x 8 / 16M x 16 | 8M x 16 / 16M x 8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| جهد التغذية | 3 V | 2.7 V to 3.6 V |
| الواجهة | Parallel (asynchronous) | Parallel (asynchronous) |
| العلبة | 56-TSOP | 56-TSOP |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40C to +125C |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عرض ناقل البيانات | 8/16 bit (BYTE# selectable) | 16 bit (byte/word selectable) |
| Programming Type | Command-set program/erase, block organized | — |
| Common Flash Interface | Yes (CFI) | — |
| Product Longevity Program | No (per family data) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| حجم الذاكرة | — | 128 Mbit (16 MB) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 56 |
| Memory Density | — | 131072 kbit |
| Programming | — | Command-sequence program/erase with status polling |
| Application Segment | — | Automotive / Industrial code storage |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |