M29W256GH70N3E vs M29W128GH70N3E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29W256GH70N3E بذریعہ Micron Technology اور M29W128GH70N3E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29W256GH70N3E M29W256GH70N3E - 256Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W256GH70N3E - 256Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W256GH70N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29W128GH70N3E M29W128GH70N3E - 128Mb Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70N3E - 128Mb Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70N3E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29W256GH70N3E M29W128GH70N3E
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash (Parallel) NOR Flash
Density 256 Mbit (32 MB) —
تنظیم 32M x 8 / 16M x 16 8M x 16 / 16M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
سپلائی وولٹیج 3 V 2.7 V to 3.6 V
انٹرفیس Parallel (asynchronous) Parallel (asynchronous)
پیکیج 56-TSOP 56-TSOP
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C -40C to +125C
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
ڈیٹا بس چوڑائی 8/16 bit (BYTE# selectable) 16 bit (byte/word selectable)
Programming Type Command-set program/erase, block organized —
Common Flash Interface Yes (CFI) —
Product Longevity Program No (per family data) —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
میموری سائز — 128 Mbit (16 MB)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 56
Memory Density — 131072 kbit
Programming — Command-sequence program/erase with status polling
Application Segment — Automotive / Industrial code storage
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں