M29W256GH70N3E vs M29W128GH70N3E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W256GH70N3E द्वारा Micron Technology और M29W128GH70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29W256GH70N3E | M29W128GH70N3E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 256 Mbit (32 MB) | — |
| संगठन | 32M x 8 / 16M x 16 | 8M x 16 / 16M x 8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | 3 V | 2.7 V to 3.6 V |
| इंटरफ़ेस | Parallel (asynchronous) | Parallel (asynchronous) |
| पैकेज | 56-TSOP | 56-TSOP |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| डेटा बस चौड़ाई | 8/16 bit (BYTE# selectable) | 16 bit (byte/word selectable) |
| Programming Type | Command-set program/erase, block organized | — |
| Common Flash Interface | Yes (CFI) | — |
| Product Longevity Program | No (per family data) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| मेमोरी आकार | — | 128 Mbit (16 MB) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 56 |
| Memory Density | — | 131072 kbit |
| Programming | — | Command-sequence program/erase with status polling |
| Application Segment | — | Automotive / Industrial code storage |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |