M29W256GH70N3E vs M29W128GH70N3E So sánh

So sánh chi tiết song song của M29W256GH70N3E bằng Micron Technology và M29W128GH70N3E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29W256GH70N3E M29W256GH70N3E - 256Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W256GH70N3E - 256Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W256GH70N3E ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29W128GH70N3E M29W128GH70N3E - 128Mb Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70N3E - 128Mb Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70N3E ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29W256GH70N3E M29W128GH70N3E
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash (Parallel) NOR Flash
Density 256 Mbit (32 MB) —
Tổ chức 32M x 8 / 16M x 16 8M x 16 / 16M x 8
Access Time 70 ns 70 ns
Điện áp cung cấp 3 V 2.7 V to 3.6 V
Giao diện Parallel (asynchronous) Parallel (asynchronous)
Hộp 56-TSOP 56-TSOP
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +125C
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Bề rộng đường dữ liệu 8/16 bit (BYTE# selectable) 16 bit (byte/word selectable)
Programming Type Command-set program/erase, block organized —
Common Flash Interface Yes (CFI) —
Product Longevity Program No (per family data) —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Kích thước bộ nhớ — 128 Mbit (16 MB)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 56
Memory Density — 131072 kbit
Programming — Command-sequence program/erase with status polling
Application Segment — Automotive / Industrial code storage
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá