M29W256GH70N3E vs M29W128GH70N3E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W256GH70N3E מאת Micron Technology ו M29W128GH70N3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | M29W256GH70N3E | M29W128GH70N3E |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 256 Mbit (32 MB) | — |
| ארגון | 32M x 8 / 16M x 16 | 8M x 16 / 16M x 8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| מתח אספקה | 3 V | 2.7 V to 3.6 V |
| ממשק | Parallel (asynchronous) | Parallel (asynchronous) |
| מארז | 56-TSOP | 56-TSOP |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +125C | -40C to +125C |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רוחב אפיק נתונים | 8/16 bit (BYTE# selectable) | 16 bit (byte/word selectable) |
| Programming Type | Command-set program/erase, block organized | — |
| Common Flash Interface | Yes (CFI) | — |
| Product Longevity Program | No (per family data) | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| גודל זיכרון | — | 128 Mbit (16 MB) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 56 |
| Memory Density | — | 131072 kbit |
| Programming | — | Command-sequence program/erase with status polling |
| Application Segment | — | Automotive / Industrial code storage |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |