M29W320DB70N3E vs M29W400FB55N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W320DB70N3E بواسطة Micron Technology و M29W400FB55N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W320DB70N3E M29W400FB55N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Flash EEPROM
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash NOR Flash (parallel)
Density 32 Mbit (33554 kbits) 4 Mbit (4194 kbits)
التنظيم 2M x 16 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
Number of Words 2000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
الواجهة Parallel Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Block Architecture Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 48-TSOP I 48-TSOP I, 12 x 20 mm
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Programming Mode Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling —
Power-Up Mode Read mode (default) —
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
Packaging — Tray
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر