M29W320DB70N3E vs M29W400FB55N3E השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W320DB70N3E מאת Micron Technology ו M29W400FB55N3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ פעיל
Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29W320DB70N3E M29W400FB55N3E
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Flash EEPROM
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash NOR Flash (parallel)
Density 32 Mbit (33554 kbits) 4 Mbit (4194 kbits)
ארגון 2M x 16 512K x 8 bit / 256K x 16 bit
Number of Words 2000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
ממשק Parallel Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable)
Block Architecture Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB)
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
מארז 48-TSOP I 48-TSOP I, 12 x 20 mm
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Programming Mode Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling —
Power-Up Mode Read mode (default) —
Programming Time — 10 us per byte/word typical
Boot Block Hardware Protection — Yes
Pins — 48
Packaging — Tray
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר